logo

HERAF1008G

Tillverkare

TAIWAN SEMICONDUCTORS

data-sheet
Datablad
Datablad
HERAF1008G är lämplig för användning inom industriella tillämpningar såsom DC till DC-omvandlare, switchade lägen omvandlare och inverterare. Dess höga tillförlitlighet och effektivitet gör den idealisk för krävande miljöer där prestanda och hållbarhet är avgörande.
Specifikation
Specifikation
DIODE GEN PURP 1KV 10A ITO220AC
DIODE GEN PURP 1KV 10A ITO220AC
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Diode 1000 V 10A Genomgående hål ITO-220AC
Diode 1000 V 10A Genomgående hål ITO-220AC
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The HERAF1008G is a high-efficiency general-purpose diode with a maximum repetitive reverse voltage (VRRM) of 1000 V and a forward current (IF) rating of 10 A. It features a glass passivated chip junction, low forward voltage drop, and high surge current capability. The device is housed in an ITO-220AC package, ensuring reliable performance in various applications.
The HERAF1008G is a high-efficiency general-purpose diode with a maximum repetitive reverse voltage (VRRM) of 1000 V and a forward current (IF) rating of 10 A. It features a glass passivated chip junction, low forward voltage drop, and high surge current capability. The device is housed in an ITO-220AC package, ensuring reliable performance in various applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Jan-Erik eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Jan-Erik Johannessen
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.