logo

H11D1M

Tillverkare

ON SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
H11D1M är avsedd för användning i effektregulatorer, digitala logik-ingångar, mikroprocessor-ingångar, apparatsensor-system och industriella kontroller. Dess höga spänningsisolering och pålitliga prestanda gör den idealisk för tillämpningar som kräver säker elektrisk isolering och robust signalöverföring.
Specifikation
Specifikation
OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP
OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Optoisolator Transistor med Basutgång 4170Vrms 1 Kanal 6-DIP
Optoisolator Transistor med Basutgång 4170Vrms 1 Kanal 6-DIP
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The H11D1M is a high-voltage optoisolator featuring a gallium arsenide infrared emitting diode coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. It offers an isolation voltage of 4170 Vrms and a collector-emitter breakdown voltage (BVCEO) of 300 V, making it suitable for various applications in power supply regulation and industrial control systems.
The H11D1M is a high-voltage optoisolator featuring a gallium arsenide infrared emitting diode coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. It offers an isolation voltage of 4170 Vrms and a collector-emitter breakdown voltage (BVCEO) of 300 V, making it suitable for various applications in power supply regulation and industrial control systems.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Andra tillverkare
H11D1M finns även hos följande tillverkare
Kontakta säljare
Kontakta Petra eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Petra Målberg
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.