logo

H11D1

Tillverkare

VISHAY

data-sheet
Datablad
Datablad
H11D1 är utformad för användning inom telekommunikation, industriella styrsystem, batteridrivna apparater, kontorsmaskiner och programmerbara styrenheter. Dess höga isolationsspänning och låga kopplingskapacitans gör den idealisk för att säkerställa signalintegritet i elektriskt isolerade miljöer.
Specifikation
Specifikation
OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP
OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Optoisolator Transistor med Basutgång 5300Vrms 1 Kanal 6-DIP
Optoisolator Transistor med Basutgång 5300Vrms 1 Kanal 6-DIP
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The H11D1 is an optoisolator featuring a GaAs infrared emitting diode optically coupled to a silicon phototransistor. It offers a high collector-emitter breakdown voltage of 300 V, isolation voltage of 5300 Vrms, and low coupling capacitance, making it suitable for signal transmission between electrically isolated circuits.
The H11D1 is an optoisolator featuring a GaAs infrared emitting diode optically coupled to a silicon phototransistor. It offers a high collector-emitter breakdown voltage of 300 V, isolation voltage of 5300 Vrms, and low coupling capacitance, making it suitable for signal transmission between electrically isolated circuits.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Andra tillverkare
H11D1 finns även hos följande tillverkare
Kontakta säljare
Kontakta Petra eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Petra Målberg
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.