logo

H11B1M

Tillverkare

ON SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
H11B1M är idealisk för låg effekt logikkretsar, telekommunikationsutrustning, bärbara elektroniska enheter och solid-state reläer. Dess höga isolationsspänning och känslighet gör den lämplig för att koppla och koppla system med olika potentialer och impedanser, vilket säkerställer pålitlig prestanda i olika tillämpningar.
Specifikation
Specifikation
OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Optoisolator Darlington med basutgång 4170Vrms 1 kanal 6-DIP
Optoisolator Darlington med basutgång 4170Vrms 1 kanal 6-DIP
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The H11B1M from onsemi is a high-performance optoisolator featuring a Darlington output configuration. It provides 4170 Vrms isolation voltage and operates within a 6-pin DIP package. This device is designed for applications requiring high sensitivity to low input drive currents, making it suitable for interfacing and coupling systems with different potentials and impedances.
The H11B1M from onsemi is a high-performance optoisolator featuring a Darlington output configuration. It provides 4170 Vrms isolation voltage and operates within a 6-pin DIP package. This device is designed for applications requiring high sensitivity to low input drive currents, making it suitable for interfacing and coupling systems with different potentials and impedances.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Andra tillverkare
H11B1M finns även hos följande tillverkare
Kontakta säljare
Kontakta Lukas eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Lukas Wallin
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.