GAN063-650WSAQ
Tillverkare
NEXPERIA
Datablad
Datablad
Specifikation
Specifikation
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
N-Kanal 650 V 34.5A (Tc) 143W (Tc) Genomgående hål TO-247-3
N-Kanal 650 V 34.5A (Tc) 143W (Tc) Genomgående hål TO-247-3
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The GAN063-650WSA is a 650 V, 34.5 A N-Channel Gallium Nitride (GaN) FET in a TO-247-3 package. It features a low on-state resistance (RDS(on)) of 50 mΩ, robust gate oxide, and high gate threshold voltage, making it suitable for high-efficiency applications in power conversion.
The GAN063-650WSA is a 650 V, 34.5 A N-Channel Gallium Nitride (GaN) FET in a TO-247-3 package. It features a low on-state resistance (RDS(on)) of 50 mΩ, robust gate oxide, and high gate threshold voltage, making it suitable for high-efficiency applications in power conversion.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Bengt eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.K