logo

FQD13N06LTM

Tillverkare

UMW YOUTAI SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
FQD13N06LTM är utformad för industriella tillämpningar, särskilt inom effektstyrning och switchande kretsar. Dess låga RDS(on) och gate-laddningskarakteristik gör den lämplig för användning i DC-DC-omvandlare, motorstyrningar och andra hög-effektiva kraftapplikationer.
Specifikation
Specifikation
MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
-
-
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The FQD13N06LTM is a 60V N-Channel MOSFET in a DPAK package, capable of handling continuous drain currents of 11A at 25°C and 7A at 100°C. It features a low on-state resistance (RDS(ON)) of < 115mΩ at VGS = 10V and < 145mΩ at VGS = 5V. The device supports low gate charge (typ. 4.8 nC) and is suitable for direct operation from logic drivers, making it ideal for efficient switching applications.
The FQD13N06LTM is a 60V N-Channel MOSFET in a DPAK package, capable of handling continuous drain currents of 11A at 25°C and 7A at 100°C. It features a low on-state resistance (RDS(ON)) of < 115mΩ at VGS = 10V and < 145mΩ at VGS = 5V. The device supports low gate charge (typ. 4.8 nC) and is suitable for direct operation from logic drivers, making it ideal for efficient switching applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Andra tillverkare
FQD13N06LTM finns även hos följande tillverkare
Kontakta säljare
Kontakta Gustaf eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Gustaf Eriksson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.