logo

FDV305N

Tillverkare

UMW YOUTAI SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
FDV305N är idealisk för lastbrytning, batteriskydd och effektförvaltningsapplikationer inom industriell och konsumentelektronik. Dess kompakta design och effektiva prestanda gör den lämplig för olika elektroniska enheter som kräver pålitliga MOSFET-lösningar.
Specifikation
Specifikation
MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23
MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
-
-
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The FDV305N is an N-Channel MOSFET designed for applications requiring a maximum Drain-Source Voltage of 20V and continuous Drain Current of 0.9A. It features a low RDS(on) of 45mΩ at VGS = 4.5V and 60mΩ at VGS = 2.5V, making it suitable for efficient power management and load switching in compact SOT-23 packages.
The FDV305N is an N-Channel MOSFET designed for applications requiring a maximum Drain-Source Voltage of 20V and continuous Drain Current of 0.9A. It features a low RDS(on) of 45mΩ at VGS = 4.5V and 60mΩ at VGS = 2.5V, making it suitable for efficient power management and load switching in compact SOT-23 packages.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Andra tillverkare
FDV305N finns även hos följande tillverkare
Kontakta säljare
Kontakta Gustaf eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Gustaf Eriksson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.