logo

FDN339AN

Tillverkare

UMW YOUTAI SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
FDN339AN är lämplig för DC/DC-omvandlare och lastbrytartillämpningar inom industriell och konsumentelektronik. Dess låga RDS(on) och effektiva termiska egenskaper gör den idealisk för högpresterande strömhanteringslösningar.
Specifikation
Specifikation
MOSFET N-CH 20V 3A SOT23
MOSFET N-CH 20V 3A SOT23
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
-
-
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The FDN339AN is an N-Channel MOSFET designed for applications requiring low on-state resistance and minimal gate charge. With a maximum Drain-Source Voltage of 20V and a continuous Drain Current of 3A, it features RDS(on) values of 38mΩ at VGS = 4.5V and 50mΩ at VGS = 2.5V, ensuring efficient switching performance in compact SOT-23 packaging.
The FDN339AN is an N-Channel MOSFET designed for applications requiring low on-state resistance and minimal gate charge. With a maximum Drain-Source Voltage of 20V and a continuous Drain Current of 3A, it features RDS(on) values of 38mΩ at VGS = 4.5V and 50mΩ at VGS = 2.5V, ensuring efficient switching performance in compact SOT-23 packaging.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Andra tillverkare
FDN339AN finns även hos följande tillverkare
Kontakta säljare
Kontakta Gustaf eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Gustaf Eriksson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.