logo

FDN337N

Tillverkare

ON SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
FDN337N är idealisk för användning inom industriella och konsumentelektronikapplikationer, inklusive bärbara datorer, mobiltelefoner och PCMCIA-kort. Dess höga effektivitet och kompakta design gör den lämplig för batteridrivna kretsar som kräver låg effektförlust och snabba switchingsfunktioner.
Specifikation
Specifikation
MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
N-Kanal 30 V 2.2A (Ta) 500mW (Ta) ytmonterad SOT-23-3
N-Kanal 30 V 2.2A (Ta) 500mW (Ta) ytmonterad SOT-23-3
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The FDN337N is an N-Channel MOSFET designed for low voltage applications, featuring a maximum drain-source voltage of 30V and a continuous drain current of 2.2A. It has a low on-state resistance (RDS(on)) of 0.065Ω at VGS = 4.5V, making it suitable for fast switching and low power loss in compact surface mount designs.
The FDN337N is an N-Channel MOSFET designed for low voltage applications, featuring a maximum drain-source voltage of 30V and a continuous drain current of 2.2A. It has a low on-state resistance (RDS(on)) of 0.065Ω at VGS = 4.5V, making it suitable for fast switching and low power loss in compact surface mount designs.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Andra tillverkare
FDN337N finns även hos följande tillverkare
Kontakta säljare
Kontakta Christian eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Christian Burö
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.