logo

FDN327N

Tillverkare

UMW YOUTAI SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
FDN327N är idealisk för lastbrytning, batteriskydd och effektförvaltningsapplikationer inom industriell och konsumentelektronik. Dess kompakta SOT-23-kapsel och effektiva prestanda gör den lämplig för utrymmesbegränsade konstruktioner som kräver pålitliga MOSFET-lösningar.
Specifikation
Specifikation
MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
-
-
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The FDN327N is an N-Channel MOSFET designed for applications requiring a maximum Drain-Source Voltage of 20V and continuous Drain Current of 2A. It features low on-state resistance (RDS(on)) values of 125mΩ at VGS = 4.5V, making it suitable for efficient power management and battery protection in compact SOT-23 packages.
The FDN327N is an N-Channel MOSFET designed for applications requiring a maximum Drain-Source Voltage of 20V and continuous Drain Current of 2A. It features low on-state resistance (RDS(on)) values of 125mΩ at VGS = 4.5V, making it suitable for efficient power management and battery protection in compact SOT-23 packages.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Andra tillverkare
FDN327N finns även hos följande tillverkare
Kontakta säljare
Kontakta Christian eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Christian Burö
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.