logo

ESD8351XV2T1G

Tillverkare

ON SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
ESD8351XV2T1G är utformad för ESD-skydd i hög hastighet datalinjer, vanligtvis använd i konsumentelektronik, telekommunikation och fordonsapplikationer. Dess låga kapacitans och klämspänning gör den idealisk för att skydda känsliga komponenter mot elektrostatisk urladdning, vilket säkerställer pålitlig drift i USB 2.0 och eSATA-gränssnitt.
Specifikation
Specifikation
TVS DIODE 3.3VWM 11.2VC SOD523
TVS DIODE 3.3VWM 11.2VC SOD523
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
11.2V Clamp 5A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Ytmonterad SOD-523
11.2V Clamp 5A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Ytmonterad SOD-523
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The ESD8351XV2T1G is a low capacitance ESD protection diode designed for high-speed data lines, featuring a working peak voltage of 3.3V and a clamping voltage of 11.2V at 5A (8/20µs). It offers robust protection against ESD events, with a maximum reverse leakage current of 500nA and a junction capacitance of 0.55pF. This device is suitable for USB 2.0 and eSATA applications.
The ESD8351XV2T1G is a low capacitance ESD protection diode designed for high-speed data lines, featuring a working peak voltage of 3.3V and a clamping voltage of 11.2V at 5A (8/20µs). It offers robust protection against ESD events, with a maximum reverse leakage current of 500nA and a junction capacitance of 0.55pF. This device is suitable for USB 2.0 and eSATA applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Lukas eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Lukas Wallin
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.