EMD4DXV6T1G
Tillverkare
ON SEMICONDUCTOR
Datablad
Datablad
Specifikation
Specifikation
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Förhandsbiasad bipolär transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Förhandsbiasad (Dual) 50V 100mA 500mW Ytmonterad SOT-563
Förhandsbiasad bipolär transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Förhandsbiasad (Dual) 50V 100mA 500mW Ytmonterad SOT-563
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The EMD4DXV6T1G is a pre-biased bipolar transistor (BJT) featuring one NPN and one PNP transistor in a single SOT-563 package. It operates at a maximum collector-emitter voltage of 50V, with a collector current of 100mA and power dissipation of 500mW. This device integrates a monolithic bias resistor network, simplifying circuit design and reducing board space.
The EMD4DXV6T1G is a pre-biased bipolar transistor (BJT) featuring one NPN and one PNP transistor in a single SOT-563 package. It operates at a maximum collector-emitter voltage of 50V, with a collector current of 100mA and power dissipation of 500mW. This device integrates a monolithic bias resistor network, simplifying circuit design and reducing board space.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Martin eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.K