DTC123JET1G
Tillverkare
ON SEMICONDUCTOR
Datablad
Datablad
Specifikation
Specifikation
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Förbise Bia Bipolär Transistor (BJT) NPN - Förbise 50 V 100 mA 200 mW Ytmonterad SC-75, SOT-416
Förbise Bia Bipolär Transistor (BJT) NPN - Förbise 50 V 100 mA 200 mW Ytmonterad SC-75, SOT-416
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The DTC123JET1G is a pre-biased NPN bipolar transistor designed for surface mount applications. It features a collector-emitter voltage of 50 V, a collector current of 100 mA, and a power dissipation of 200 mW. This device integrates a monolithic bias resistor network, simplifying circuit design and reducing component count.
The DTC123JET1G is a pre-biased NPN bipolar transistor designed for surface mount applications. It features a collector-emitter voltage of 50 V, a collector current of 100 mA, and a power dissipation of 200 mW. This device integrates a monolithic bias resistor network, simplifying circuit design and reducing component count.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Martin eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.K