DTC115EM3T5G
Tillverkare
ON SEMICONDUCTOR
Datablad
Datablad
Specifikation
Specifikation
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Förspänd bipolär transistor (BJT) NPN - Förspänd 50 V 100 mA 260 mW Ytmonterad SOT-723
Förspänd bipolär transistor (BJT) NPN - Förspänd 50 V 100 mA 260 mW Ytmonterad SOT-723
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The DTC115EM3T5G is a pre-biased NPN bipolar transistor designed for surface mount applications. It features a maximum collector-emitter voltage of 50 V, a collector current of 100 mA, and a power dissipation of 260 mW. This device integrates a monolithic bias resistor network, simplifying circuit design and reducing component count.
The DTC115EM3T5G is a pre-biased NPN bipolar transistor designed for surface mount applications. It features a maximum collector-emitter voltage of 50 V, a collector current of 100 mA, and a power dissipation of 260 mW. This device integrates a monolithic bias resistor network, simplifying circuit design and reducing component count.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Martin eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.K