logo

DN3545N8-G

Tillverkare

MICROCHIP TECHNOLOGY

data-sheet
Datablad
Datablad
DN3545N8-G är avsedd för industriella tillämpningar, särskilt i tjockfilmsmotstånd, omvandlare, linjära förstärkare och strömförsörjningskretsar. Dess höga brytspänning och låga RDS(on) gör den idealisk för användning inom telekommunikation och andra elektroniska system som kräver effektiv omkoppling och förstärkning.
Specifikation
Specifikation
MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA
MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
N-Kanal 450 V 200mA (Ta) 1.6W (Ta) ytmonterad TO-243AA (SOT-89)
N-Kanal 450 V 200mA (Ta) 1.6W (Ta) ytmonterad TO-243AA (SOT-89)
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The DN3545N8-G is an N-Channel MOSFET with a breakdown voltage of 450V and a maximum continuous drain current of 200mA. It features low on-resistance (RDS(on) max 20Ω), fast switching speeds, and high input impedance, making it suitable for various applications including solid-state relays and power supply circuits. The device is housed in a surface-mounted TO-243AA package.
The DN3545N8-G is an N-Channel MOSFET with a breakdown voltage of 450V and a maximum continuous drain current of 200mA. It features low on-resistance (RDS(on) max 20Ω), fast switching speeds, and high input impedance, making it suitable for various applications including solid-state relays and power supply circuits. The device is housed in a surface-mounted TO-243AA package.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Nicklas eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Nicklas Johansson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.