logo

DN3535N8-G

Tillverkare

MICROCHIP TECHNOLOGY

data-sheet
Datablad
Datablad
DN3535N8-G är avsedd för industriella tillämpningar, inklusive normalt-på-brytare, solid-state-reläer, omvandlare, linjära förstärkare, konstantströmkällor och strömförsörjningskretsar. Dess höga ingångsimpedans och låga ingångskapacitans gör den idealisk för telekommunikation och andra högpresterande elektroniska system.
Specifikation
Specifikation
MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA
MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
N-Kanal 350 V 230mA (Tj) 1.6W (Ta) ytmonterad TO-243AA (SOT-89)
N-Kanal 350 V 230mA (Tj) 1.6W (Ta) ytmonterad TO-243AA (SOT-89)
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The DN3535N8-G is an N-Channel MOSFET with a breakdown voltage of 350V and a continuous drain current of 230mA. It features low on-resistance (RDS(ON) max 10Ω) and fast switching speeds, making it suitable for various applications. The device is housed in a TO-243AA (SOT-89) package, ensuring efficient thermal performance with a power dissipation of 1.6W.
The DN3535N8-G is an N-Channel MOSFET with a breakdown voltage of 350V and a continuous drain current of 230mA. It features low on-resistance (RDS(ON) max 10Ω) and fast switching speeds, making it suitable for various applications. The device is housed in a TO-243AA (SOT-89) package, ensuring efficient thermal performance with a power dissipation of 1.6W.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Bengt eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Bengt Almlund
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.