logo

DN3525N8-G

Tillverkare

MICROCHIP TECHNOLOGY

data-sheet
Datablad
Datablad
DN3525N8-G är avsedd för industriella tillämpningar, särskilt i tjockfilmsmotstånd, omvandlare och effektförsörjningskretsar. Dess höga brytspänning och låga RDS(on) gör den idealisk för användning i telekommunikationsswitchar och konstantströmkällor, vilket säkerställer pålitlig prestanda i krävande miljöer.
Specifikation
Specifikation
MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA
MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
N-Kanal 250 V 360mA (Tj) 1.6W (Ta) ytmonterad TO-243AA (SOT-89)
N-Kanal 250 V 360mA (Tj) 1.6W (Ta) ytmonterad TO-243AA (SOT-89)
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The DN3525N8-G is an N-Channel Depletion-mode MOSFET with a breakdown voltage of 250V and a maximum continuous drain current of 360mA. It features low on-resistance (RDS(on) of 6Ω), high input impedance, and fast switching speeds, making it suitable for various applications including solid-state relays and power supply circuits. The device operates within a temperature range of -55°C to +150°C and is housed in a TO-243AA (SOT-89) package.
The DN3525N8-G is an N-Channel Depletion-mode MOSFET with a breakdown voltage of 250V and a maximum continuous drain current of 360mA. It features low on-resistance (RDS(on) of 6Ω), high input impedance, and fast switching speeds, making it suitable for various applications including solid-state relays and power supply circuits. The device operates within a temperature range of -55°C to +150°C and is housed in a TO-243AA (SOT-89) package.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Patrick eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Patrick Wiström
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.