logo

DN3135K1-G

Tillverkare

MICROCHIP TECHNOLOGY

data-sheet
Datablad
Datablad
DN3135K1-G är avsedd för industriella tillämpningar, särskilt i tjockfilmsmotstånd, omvandlare och strömförsörjningskretsar. Dess höga brytspänning och låga RDS(on) gör den idealisk för användning inom telekommunikation och linjära förstärkare, där effektiv omkoppling och förstärkning krävs.
Specifikation
Specifikation
MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3
MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
N-Kanal 350 V 72mA (Tj) 360mW (Ta) ytmonterad SOT-23-3
N-Kanal 350 V 72mA (Tj) 360mW (Ta) ytmonterad SOT-23-3
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The DN3135K1-G is an N-Channel Depletion-mode MOSFET with a breakdown voltage of 350V and a maximum continuous drain current of 72mA. It features low on-resistance (RDS(on) of 35Ω), high input impedance, and fast switching speeds, making it suitable for various applications including solid-state relays and power supply circuits. The device is housed in a compact SOT-23-3 package.
The DN3135K1-G is an N-Channel Depletion-mode MOSFET with a breakdown voltage of 350V and a maximum continuous drain current of 72mA. It features low on-resistance (RDS(on) of 35Ω), high input impedance, and fast switching speeds, making it suitable for various applications including solid-state relays and power supply circuits. The device is housed in a compact SOT-23-3 package.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Gabriella eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Gabriella Carlberg
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.