logo

DN2535N3-G

Tillverkare

MICROCHIP TECHNOLOGY

data-sheet
Datablad
Datablad
DN2535N3-G är avsedd för industriella tillämpningar, särskilt i tjockfilmsmotstånd, omvandlare, linjära förstärkare och strömförsörjningskretsar. Dess höga brytspänning och låga RDS(on) gör den idealisk för användning inom telekommunikation och andra elektroniska system som kräver pålitlig omkoppling och förstärkning.
Specifikation
Specifikation
MOSFET N-CH 350V 120MA TO92
MOSFET N-CH 350V 120MA TO92
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
N-Kanal 350 V 120mA (Tj) 1W (Tc) Genomgående hål TO-92 (TO-226)
N-Kanal 350 V 120mA (Tj) 1W (Tc) Genomgående hål TO-92 (TO-226)
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The DN2535N3-G is an N-Channel Depletion-mode MOSFET with a breakdown voltage of 350V and a maximum continuous drain current of 120mA. It features low on-resistance (RDS(ON) of 25Ω), high input impedance, and fast switching speeds, making it suitable for various applications including solid-state relays and power supply circuits. The device is housed in a TO-92 package.
The DN2535N3-G is an N-Channel Depletion-mode MOSFET with a breakdown voltage of 350V and a maximum continuous drain current of 120mA. It features low on-resistance (RDS(ON) of 25Ω), high input impedance, and fast switching speeds, making it suitable for various applications including solid-state relays and power supply circuits. The device is housed in a TO-92 package.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Nicklas eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Nicklas Johansson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.