logo

DN2530N8-G

Tillverkare

MICROCHIP TECHNOLOGY

data-sheet
Datablad
Datablad
DN2530N8-G är avsedd för användning inom industriella och telekommunikationsapplikationer. Dess egenskaper gör den idealisk för normalt-på-brytare, tjockfilmsmotstånd, omvandlare, linjära förstärkare, konstant strömkällor och strömförsörjningskretsar, där hög genomsläppsspänning och snabb växling är avgörande.
Specifikation
Specifikation
MOSFET N-CH 300V 200MA TO243AA
MOSFET N-CH 300V 200MA TO243AA
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
N-Kanal 300 V 200mA (Tj) 1.6W (Ta) Ytmonterad TO-243AA (SOT-89)
N-Kanal 300 V 200mA (Tj) 1.6W (Ta) Ytmonterad TO-243AA (SOT-89)
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The DN2530N8-G is an N-Channel depletion-mode MOSFET with a maximum drain-to-source voltage of 300V and a continuous drain current of 200mA. It features low on-resistance (RDS(ON) max 12Ω), high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds. This surface-mounted device is suitable for various applications including solid-state relays and power supply circuits.
The DN2530N8-G is an N-Channel depletion-mode MOSFET with a maximum drain-to-source voltage of 300V and a continuous drain current of 200mA. It features low on-resistance (RDS(ON) max 12Ω), high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds. This surface-mounted device is suitable for various applications including solid-state relays and power supply circuits.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Martin eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Martin Elfstrand
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.