logo

DN2530N3-G

Tillverkare

MICROCHIP TECHNOLOGY

data-sheet
Datablad
Datablad
DN2530N3-G är avsedd för industriella tillämpningar, särskilt i tjockfilmsmotstånd, omvandlare, linjära förstärkare och strömförsörjningskretsar. Dess höga brytspänning och låga RDS(on) gör den idealisk för användning inom telekom och andra elektroniska system som kräver effektiv omkoppling och förstärkning.
Specifikation
Specifikation
MOSFET N-CH 300V 175MA TO92
MOSFET N-CH 300V 175MA TO92
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
N-Kanal 300 V 175mA (Tj) 740mW (Ta) Genomgående hål TO-92 (TO-226)
N-Kanal 300 V 175mA (Tj) 740mW (Ta) Genomgående hål TO-92 (TO-226)
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The DN2530N3-G is an N-Channel depletion-mode MOSFET with a maximum drain-to-source voltage of 300V and a continuous drain current of 175mA. It features low on-resistance (RDS(ON) max 12Ω), high input impedance, and fast switching speeds, making it suitable for various applications including solid-state relays and power supply circuits. The device is housed in a TO-92 package.
The DN2530N3-G is an N-Channel depletion-mode MOSFET with a maximum drain-to-source voltage of 300V and a continuous drain current of 175mA. It features low on-resistance (RDS(ON) max 12Ω), high input impedance, and fast switching speeds, making it suitable for various applications including solid-state relays and power supply circuits. The device is housed in a TO-92 package.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Marcus eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Marcus Gustafsson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.