logo

DN1509N8-G

Tillverkare

MICROCHIP TECHNOLOGY

data-sheet
Datablad
Datablad
DN1509N8-G är avsedd för användning inom industriella och telekommunikationsapplikationer. Dess egenskaper gör den idealisk för normalt-på-brytare, batteridrivna system, omvandlare, tjockfilmsmotstånd och konstant strömkällor, där låg RDS(on) och snabba switchhastigheter är avgörande.
Specifikation
Specifikation
MOSFET N-CH 90V 360MA TO243AA
MOSFET N-CH 90V 360MA TO243AA
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
N-Kanal 90 V 360mA (Tj) 1.6W (Ta) Ytmonterad TO-243AA (SOT-89)
N-Kanal 90 V 360mA (Tj) 1.6W (Ta) Ytmonterad TO-243AA (SOT-89)
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The DN1509N8-G is an N-Channel depletion-mode MOSFET with a maximum drain-to-source voltage of 90V and a continuous drain current of 360mA. It features low on-resistance (RDS(on) max 6.0Ω), high input impedance, and fast switching speeds, making it suitable for various applications including battery-operated systems and linear amplifiers. The device is housed in a TO-243AA (SOT-89) package.
The DN1509N8-G is an N-Channel depletion-mode MOSFET with a maximum drain-to-source voltage of 90V and a continuous drain current of 360mA. It features low on-resistance (RDS(on) max 6.0Ω), high input impedance, and fast switching speeds, making it suitable for various applications including battery-operated systems and linear amplifiers. The device is housed in a TO-243AA (SOT-89) package.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Jan-Erik eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Jan-Erik Johannessen
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.