DF3A6.8FV,L3F(T

Tillverkare

TOSHIBA

DF3A6.8FV,L3F(T) används för ESD-skydd i elektroniska kretsar. Typiska tillämpningar inkluderar skydd av datalinjer i konsumentelektronik, telekommunikation och industriell utrustning. Det är avgörande för att upprätthålla signalintegritet och förhindra skador från elektrostatisk urladdning, vilket säkerställer pålitlig drift i känsliga elektroniska miljöer.

Detaljerad specifikation

Dioder för skydd mot ESD. Dessa dioder är utformade för att ge effektivt skydd mot elektrostatisk urladdning (ESD) händelser. De har en ytmonterad design och finns i olika storlekar, inklusive 2 mm (0,08 tum) i längd och 1 mm (0,04 tum) i bredd. RDS(on) är optimerad för låg effektförlust, och tjockfilmsmotståndet säkerställer tillförlitlighet under högspänningsförhållanden. Enheterna kan tåla en effekt på upp till 500 mW (0,5 W). Kärnan är utformad med en trumformad kärna för förbättrad prestanda.

Beskrivning (eng)

The DF3A6.8FV,L3F(T) from Toshiba is a high-performance ESD protection diode designed to safeguard sensitive electronic components from electrostatic discharge. This device features low clamping voltage and fast response time, making it ideal for protecting data lines and power lines in various applications. With its compact design, it is suitable for surface mount technology, ensuring efficient use of PCB space. The diode is optimized for high-speed data transmission, providing reliable protection in consumer electronics, telecommunications, and industrial equipment.

Tillgänglighet

Kan beställas hos Westcomp