logo

BSZ160N10NS3G

Tillverkare

INFINEON

data-sheet
Datablad
Datablad
BSZ160N10NS3 G är lämplig för effektstyrning i olika tillämpningar, inklusive industriell och konsumentelektronik. Dess optimerade teknik för DC/DC-omvandlare och högfrekvenssvitschningskapabiliteter gör den idealisk för användning i strömförsörjningar, motorstyrning och andra hög-effektiva tillämpningar.
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
MOSFET:er N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
MOSFET:er N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The BSZ160N10NS3 G is an N-channel MOSFET designed for high-frequency switching applications, featuring a maximum drain-source voltage of 100V and a continuous drain current of 40A. It offers low on-state resistance (RDS(on)) of 16 mΩ and is optimized for DC/DC converters, ensuring efficient power management.
The BSZ160N10NS3 G is an N-channel MOSFET designed for high-frequency switching applications, featuring a maximum drain-source voltage of 100V and a continuous drain current of 40A. It offers low on-state resistance (RDS(on)) of 16 mΩ and is optimized for DC/DC converters, ensuring efficient power management.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Lukas eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Lukas Wallin
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.