logo

BSZ086P03NS3GATMA1

Tillverkare

INFINEON

data-sheet
Datablad
Datablad
BSZ086P03NS3GATMA1 är avsedd för batterihantering och lastswitching i konsumentelektronik och bärbara system. Dess låga RDS(on) och höga strömhanteringskapacitet gör den idealisk för effektiv energihantering i kompakta konstruktioner.
Specifikation
Specifikation
MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
P-Kanal 30 V 13.5A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) ytmonterad PG-TSDSON-8.
P-Kanal 30 V 13.5A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) ytmonterad PG-TSDSON-8.
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The BSZ086P03NS3GATMA1 is a P-Channel MOSFET with a maximum VDS of -30V and continuous drain current ratings of 13.5A at Ta and 40A at Tc. It features a low RDS(on) of 8.6 mΩ, making it suitable for applications requiring efficient power management. The device operates within a temperature range of -55°C to 150°C and is housed in a PG-TSDSON-8 package.
The BSZ086P03NS3GATMA1 is a P-Channel MOSFET with a maximum VDS of -30V and continuous drain current ratings of 13.5A at Ta and 40A at Tc. It features a low RDS(on) of 8.6 mΩ, making it suitable for applications requiring efficient power management. The device operates within a temperature range of -55°C to 150°C and is housed in a PG-TSDSON-8 package.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Gustaf eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Gustaf Eriksson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.