logo

BSS159NH6906XTSA1

Tillverkare

INFINEON

data-sheet
Datablad
Datablad
BSS159NH6906XTSA1 är avsedd för användning inom industriella och fordonsapplikationer, särskilt för låg effektomkoppling och signalförstärkning. Dess egenskaper inkluderar hög dv/dt-betyg, låg RDS(on) och överensstämmelse med AEC Q101-standarder, vilket gör den idealisk för fordons elektronik och andra krävande miljöer.
Specifikation
Specifikation
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
N-Kanal 60 V 230mA (Ta) 360mW (Ta) ytmonterad PG-SOT23
N-Kanal 60 V 230mA (Ta) 360mW (Ta) ytmonterad PG-SOT23
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The BSS159NH6906XTSA1 is an N-channel MOSFET with a maximum drain-source voltage (VDS) of 60 V and a continuous drain current (ID) of 230 mA. It features a maximum on-state drain-source resistance (RDS(on)) of 8 Ω and is housed in a PG-SOT-23 package. This device is suitable for applications requiring low power dissipation and high reliability.
The BSS159NH6906XTSA1 is an N-channel MOSFET with a maximum drain-source voltage (VDS) of 60 V and a continuous drain current (ID) of 230 mA. It features a maximum on-state drain-source resistance (RDS(on)) of 8 Ω and is housed in a PG-SOT-23 package. This device is suitable for applications requiring low power dissipation and high reliability.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Marcus eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Marcus Gustafsson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.