logo

BSS138

Tillverkare

ANBON SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
BSS138 är idealisk för lastbrytning i bärbara enheter, DC/DC-omvandlare och direkta logiknivågränssnitt som TTL/CMOS. Dess avancerade trumprocess-teknologi och högdensitets celldesign säkerställer ultralåg RDS(on), vilket gör den lämplig för industriella och konsumentelektronikapplikationer.
Specifikation
Specifikation
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
N-Kanal 50 V 220mA (Ta) 350mW (Ta) ytmonterad SOT-23
N-Kanal 50 V 220mA (Ta) 350mW (Ta) ytmonterad SOT-23
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The BSS138 is an N-Channel Enhancement Mode MOSFET designed for applications requiring low on-resistance and high efficiency. It features a maximum Drain-Source Voltage (VDS) of 50 V, a continuous Drain Current (ID) of 0.22 A, and a power dissipation of 350 mW. The device is housed in a SOT-23 package, making it suitable for surface-mounted applications.
The BSS138 is an N-Channel Enhancement Mode MOSFET designed for applications requiring low on-resistance and high efficiency. It features a maximum Drain-Source Voltage (VDS) of 50 V, a continuous Drain Current (ID) of 0.22 A, and a power dissipation of 350 mW. The device is housed in a SOT-23 package, making it suitable for surface-mounted applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Gustaf eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Gustaf Eriksson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.