logo

BSC190N12NS3G

Tillverkare

INFINEON

data-sheet
Datablad
Datablad
BSC190N12NS3 G är lämplig för industriella tillämpningar, inklusive effektstyrning och motorstyrning. Dess höga spännings- och strömklass gör den idealisk för användning i strömförsörjningar, omvandlare och andra hög-effekt kretsar som kräver robust växlingseffektivitet.
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
-
-
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The BSC190N12NS3 G is an N-channel MOSFET designed for high-performance applications. It features a maximum drain-source voltage (VDS) of 120V and a continuous drain current (ID) of 44A. The device is housed in a TDSON-8 package, optimized for efficient thermal management and minimal on-state resistance (RDS(on)).
The BSC190N12NS3 G is an N-channel MOSFET designed for high-performance applications. It features a maximum drain-source voltage (VDS) of 120V and a continuous drain current (ID) of 44A. The device is housed in a TDSON-8 package, optimized for efficient thermal management and minimal on-state resistance (RDS(on)).
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Jan-Erik eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Jan-Erik Johannessen
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.