logo

BDW93C

Tillverkare

ST MICROELECTRONICS

data-sheet
Datablad
Datablad
BDW93C är lämplig för användning inom industriella tillämpningar, särskilt i kraftlinjära och switchande utrustningar. Dess robusta specifikationer, inklusive en maximal kollektorström på 12 A och en total effekt på 80 W, gör den idealisk för krävande miljöer som kräver pålitlig prestanda.
Specifikation
Specifikation
TRANS NPN DARL 100V 12A TO220
TRANS NPN DARL 100V 12A TO220
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Bipolär (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 12 A 80 W Genomgående hål TO-220
Bipolär (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 12 A 80 W Genomgående hål TO-220
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The BDW93C is a silicon Epitaxial-Base NPN power transistor in a monolithic Darlington configuration, designed for power linear and switching applications. It features a collector-emitter voltage of 80 V, a collector current of 12 A, and a total dissipation of 80 W, housed in a TO-220 package.
The BDW93C is a silicon Epitaxial-Base NPN power transistor in a monolithic Darlington configuration, designed for power linear and switching applications. It features a collector-emitter voltage of 80 V, a collector current of 12 A, and a total dissipation of 80 W, housed in a TO-220 package.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Andra tillverkare
BDW93C finns även hos följande tillverkare
Kontakta säljare
Kontakta Patrick eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Patrick Wiström
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.