BDW93C
Tillverkare
ST MICROELECTRONICS
Datablad
Datablad
Specifikation
Specifikation
TRANS NPN DARL 100V 12A TO220
TRANS NPN DARL 100V 12A TO220
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Bipolär (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 12 A 80 W Genomgående hål TO-220
Bipolär (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 12 A 80 W Genomgående hål TO-220
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The BDW93C is a silicon Epitaxial-Base NPN power transistor in a monolithic Darlington configuration, designed for power linear and switching applications. It features a collector-emitter voltage of 80 V, a collector current of 12 A, and a total dissipation of 80 W, housed in a TO-220 package.
The BDW93C is a silicon Epitaxial-Base NPN power transistor in a monolithic Darlington configuration, designed for power linear and switching applications. It features a collector-emitter voltage of 80 V, a collector current of 12 A, and a total dissipation of 80 W, housed in a TO-220 package.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Patrick eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.K