logo

BAS116QAZ

Tillverkare

NEXPERIA

data-sheet
Datablad
Datablad
BAS116QAZ är utformad för applikationer med låg läckström och allmänna switching i olika områden inklusive fordons- och konsumentelektronik. Dess höga switchinghastighet och låga kapacitans gör den idealisk för användning i kompakta elektroniska enheter som kräver effektiv energihantering.
Specifikation
Specifikation
DIODE GP 75V 300MA DFN1010D-3
DIODE GP 75V 300MA DFN1010D-3
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Diode 75 V 300mA ytmonterad DFN1010D-3
Diode 75 V 300mA ytmonterad DFN1010D-3
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The BAS116QAZ is a low-leakage switching diode with a maximum repetitive peak reverse voltage of 85 V and a forward current rating of 300 mA. It features a fast reverse recovery time of 0.8 µs and low leakage current of 3 pA. Encapsulated in a compact DFN1010D-3 package, it is suitable for high-density applications and Automatic Optical Inspection (AOI).
The BAS116QAZ is a low-leakage switching diode with a maximum repetitive peak reverse voltage of 85 V and a forward current rating of 300 mA. It features a fast reverse recovery time of 0.8 µs and low leakage current of 3 pA. Encapsulated in a compact DFN1010D-3 package, it is suitable for high-density applications and Automatic Optical Inspection (AOI).
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Gustaf eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Gustaf Eriksson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.