logo

AFT05MS031GNR1

Tillverkare

NXP

data-sheet
Datablad
Datablad
AFT05MS031GNR1 är utformad för mobila tvåvägsradioapplikationer, särskilt inom VHF- och UHF-frekvensområdena. Dess höga förstärkning och robusthet gör den idealisk för stora signaler, gemensamma källförstärkarapplikationer i mobilradioutrustning, vilket säkerställer pålitlig prestanda inom industri- och telekommunikationssektorer.
Specifikation
Specifikation
RF MOSFET LDMOS 13.6V TO270-2
RF MOSFET LDMOS 13.6V TO270-2
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
RF Mosfet 13.6 V 10 mA 520MHz 17.7dB 31W TO-270-2 GULL
RF Mosfet 13.6 V 10 mA 520MHz 17.7dB 31W TO-270-2 GULL
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The AFT05MS031GNR1 is a high-performance RF MOSFET designed for mobile two-way radio applications, operating at frequencies from 136 to 520 MHz. It features a maximum output power of 31 W, a gain of 17.7 dB, and operates at a voltage of 13.6 V. This N-channel enhancement-mode LDMOS transistor is characterized by high ruggedness and exceptional thermal performance, making it suitable for demanding RF applications.
The AFT05MS031GNR1 is a high-performance RF MOSFET designed for mobile two-way radio applications, operating at frequencies from 136 to 520 MHz. It features a maximum output power of 31 W, a gain of 17.7 dB, and operates at a voltage of 13.6 V. This N-channel enhancement-mode LDMOS transistor is characterized by high ruggedness and exceptional thermal performance, making it suitable for demanding RF applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Martin eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Martin Elfstrand
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.