A5G35S008NT6
Tillverkare
NXP
Datablad
Datablad
Specifikation
Specifikation
RF MOSFET
RF MOSFET
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
RF Mosfet med ett maximalt RDS(on) på 0,1 ohm, ett tjockfilmsmotstånd på 10 mm (0,39 tum) i längd, 5 mm (0,20 tum) i bredd, och en effektklass som tål en effekt på 2 watt. Den har en trumformad kärna och är trådlindad.
RF Mosfet med ett maximalt RDS(on) på 0,1 ohm, ett tjockfilmsmotstånd på 10 mm (0,39 tum) i längd, 5 mm (0,20 tum) i bredd, och en effektklass som tål en effekt på 2 watt. Den har en trumformad kärna och är trådlindad.
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The A5G35S008NT6 is a 27 dBm RF power GaN transistor optimized for cellular base station applications within the 3300 to 3800 MHz frequency range. It features high terminal impedances for broadband performance and is designed for low complexity linearization systems, making it suitable for massive MIMO active antenna systems in 5G networks.
The A5G35S008NT6 is a 27 dBm RF power GaN transistor optimized for cellular base station applications within the 3300 to 3800 MHz frequency range. It features high terminal impedances for broadband performance and is designed for low complexity linearization systems, making it suitable for massive MIMO active antenna systems in 5G networks.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Gabriella eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.K