A3T23H300W23SR6
Tillverkare
NXP
Datablad
Datablad
Specifikation
Specifikation
RF MOSFET LDMOS
RF MOSFET LDMOS
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
RF Mosfet med en ytmonterad design, med ett RDS(on) på 0,1 ohm, ett tjockfilmsmotstånd på 0,5 mm (0,02 tum) i tjocklek, och en trumformad kärna som mäter 5 mm (0,20 tum) i diameter. Denna komponent tål en effekt på 10 watt.
RF Mosfet med en ytmonterad design, med ett RDS(on) på 0,1 ohm, ett tjockfilmsmotstånd på 0,5 mm (0,02 tum) i tjocklek, och en trumformad kärna som mäter 5 mm (0,20 tum) i diameter. Denna komponent tål en effekt på 10 watt.
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The A3T23H300W23SR6 is a 63 W asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor designed for cellular base station applications. It operates within a frequency range of 2300 to 2400 MHz, providing high efficiency and wide instantaneous bandwidth. The device features advanced performance characteristics, including a greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation and the ability to withstand high output VSWR.
The A3T23H300W23SR6 is a 63 W asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor designed for cellular base station applications. It operates within a frequency range of 2300 to 2400 MHz, providing high efficiency and wide instantaneous bandwidth. The device features advanced performance characteristics, including a greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation and the ability to withstand high output VSWR.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Nicklas eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.K