A3T21H456W23SR6
Tillverkare
NXP
Datablad
Datablad
Specifikation
Specifikation
RF MOSFET LDMOS
RF MOSFET LDMOS
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
RF Mosfet med en maximal bredd på 10 mm (0.39 tum) och en höjd av 5 mm (0.20 tum). Den har RDS(on) egenskaper och är designad med ett tjockfilmsmotstånd för hållbarhet. Enheten tål en effekt på 20 watt och inkluderar en trumformad kärna för effektiv prestanda. Denna komponent är ytmonterad.
RF Mosfet med en maximal bredd på 10 mm (0.39 tum) och en höjd av 5 mm (0.20 tum). Den har RDS(on) egenskaper och är designad med ett tjockfilmsmotstånd för hållbarhet. Enheten tål en effekt på 20 watt och inkluderar en trumformad kärna för effektiv prestanda. Denna komponent är ytmonterad.
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The A3T21H456W23SR6 is an RF power LDMOS transistor designed for cellular base station applications. It operates in the frequency range of 2110 to 2200 MHz, delivering 87 W average output power with high efficiency. This N-channel enhancement-mode lateral MOSFET features advanced Doherty performance, capable of withstanding high output VSWR and broadband conditions, making it suitable for digital predistortion systems.
The A3T21H456W23SR6 is an RF power LDMOS transistor designed for cellular base station applications. It operates in the frequency range of 2110 to 2200 MHz, delivering 87 W average output power with high efficiency. This N-channel enhancement-mode lateral MOSFET features advanced Doherty performance, capable of withstanding high output VSWR and broadband conditions, making it suitable for digital predistortion systems.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Nicklas eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.K