logo

A3I20X050NR1

Tillverkare

NXP

data-sheet
Datablad
Datablad
A3I20X050N används i RF-förstärkningsapplikationer, särskilt i mobilbasstationer och telekommunikation. Dess breda frekvensområde och integrerade funktioner gör den idealisk för moderna kommunikationssystem som kräver effektiv effektförstärkning och signalintegritet.
Specifikation
Specifikation
AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
RF förstärkar IC 1.8GHz ~ 2.2GHz OM-400-8
RF förstärkar IC 1.8GHz ~ 2.2GHz OM-400-8
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The A3I20X050N is an RF Amplifier IC designed for wideband applications from 1.8 GHz to 2.2 GHz. It features an integrated Doherty circuit with on-chip matching, enabling operation at 20 to 32 V. The device delivers an average output power of 6.3 W and supports various cellular base station modulation formats, making it suitable for modern communication systems.
The A3I20X050N is an RF Amplifier IC designed for wideband applications from 1.8 GHz to 2.2 GHz. It features an integrated Doherty circuit with on-chip matching, enabling operation at 20 to 32 V. The device delivers an average output power of 6.3 W and supports various cellular base station modulation formats, making it suitable for modern communication systems.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Marcus eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Marcus Gustafsson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.