logo

A3G26D055NT4

Tillverkare

NXP

data-sheet
Datablad
Datablad
A3G26D055NT4 används i RF-effektsförstärkning för mobilbasstationer, särskilt i 5G-applikationer. Den är lämplig för massiva MIMO-system och erbjuder hög effektivitet och linjäritet över ett brett frekvensområde, vilket gör den idealisk för modern telekommunikationsinfrastruktur.
Specifikation
Specifikation
RF MOSFET GAN 48V 6DFN
RF MOSFET GAN 48V 6DFN
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
RF Mosfet 48 V 40 mA 100MHz ~ 2.69GHz 13.9dB 8W 6-PDFN (7mm x 6.5mm) (0.28" x 0.26")
RF Mosfet 48 V 40 mA 100MHz ~ 2.69GHz 13.9dB 8W 6-PDFN (7mm x 6.5mm) (0.28" x 0.26")
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The A3G26D055NT4 is an RF MOSFET GaN amplifier designed for cellular base station applications. It operates at 48 V with a maximum output power of 8 W, covering a frequency range of 100 MHz to 2.69 GHz. This device features high terminal impedances for optimal broadband performance and is optimized for massive MIMO active antenna systems for 5G. It is characterized for applications requiring wide instantaneous bandwidth and can withstand high output VSWR conditions.
The A3G26D055NT4 is an RF MOSFET GaN amplifier designed for cellular base station applications. It operates at 48 V with a maximum output power of 8 W, covering a frequency range of 100 MHz to 2.69 GHz. This device features high terminal impedances for optimal broadband performance and is optimized for massive MIMO active antenna systems for 5G. It is characterized for applications requiring wide instantaneous bandwidth and can withstand high output VSWR conditions.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Marcus eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Marcus Gustafsson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.