A3G22H400-04SR3
Tillverkare
NXP
Datablad
Datablad
Specifikation
Specifikation
RF MOSFET
RF MOSFET
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
RF Mosfet med en maximal bredd på 10 mm (0.39 inches) och en höjd av 5 mm (0.20 inches). Den har en RDS(on) på 0.1 ohm och är designad med ett tjockfilmsmotstånd. Enheten tål en effekt på 2 watt och har en trumformad kärna. Den är ytmonterad för enkel integration i kretsar.
RF Mosfet med en maximal bredd på 10 mm (0.39 inches) och en höjd av 5 mm (0.20 inches). Den har en RDS(on) på 0.1 ohm och är designad med ett tjockfilmsmotstånd. Enheten tål en effekt på 2 watt och har en trumformad kärna. Den är ytmonterad för enkel integration i kretsar.
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The A3G22H400-04SR3 is a 79 W asymmetrical Doherty RF power GaN transistor designed for cellular base station applications. It operates within a frequency range of 1800 to 2200 MHz, providing high efficiency and performance. The device features high terminal impedances for optimal broadband performance and can withstand high output VSWR conditions.
The A3G22H400-04SR3 is a 79 W asymmetrical Doherty RF power GaN transistor designed for cellular base station applications. It operates within a frequency range of 1800 to 2200 MHz, providing high efficiency and performance. The device features high terminal impedances for optimal broadband performance and can withstand high output VSWR conditions.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Richard eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.K