A3G20S250-01SR3
Tillverkare
NXP
Datablad
Datablad
Specifikation
Specifikation
RF MOSFET
RF MOSFET
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
RF Mosfet med en maximal bredd på 10 mm (0.39 tum) och en höjd på 5 mm (0.20 tum). Den har RDS(on) egenskaper och är designad med ett tjockfilmsmotstånd för hållbarhet. Enheten tål en effekt på 20 watt och inkluderar en trumformad kärna för effektiv prestanda. Komponenter är ytmonterade för enkel integration i kretsar.
RF Mosfet med en maximal bredd på 10 mm (0.39 tum) och en höjd på 5 mm (0.20 tum). Den har RDS(on) egenskaper och är designad med ett tjockfilmsmotstånd för hållbarhet. Enheten tål en effekt på 20 watt och inkluderar en trumformad kärna för effektiv prestanda. Komponenter är ytmonterade för enkel integration i kretsar.
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The A3G20S250-01SR3 is a 45 W RF power GaN transistor designed for cellular base station applications, operating in the 1800 to 2200 MHz frequency range. It features high terminal impedances for optimal broadband performance and is optimized for Doherty applications, ensuring reliable performance in demanding environments.
The A3G20S250-01SR3 is a 45 W RF power GaN transistor designed for cellular base station applications, operating in the 1800 to 2200 MHz frequency range. It features high terminal impedances for optimal broadband performance and is optimized for Doherty applications, ensuring reliable performance in demanding environments.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Marcus eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.K