logo

A2T14H450-23NR6

Tillverkare

NXP

data-sheet
Datablad
Datablad
A2T14H450-23NR6 används i mobilbasstationer, speciellt utformad för RF-effektförstärkning inom frekvensområdet 1427 till 1517 MHz. Dess höga utgångseffekt och effektivitet gör den lämplig för moderna kommunikationssystem, vilket förbättrar signalens kvalitet och täckning inom telekommunikation.
Specifikation
Specifikation
RF MOSFET LDMOS 31V OM1230-42
RF MOSFET LDMOS 31V OM1230-42
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
RF Mosfet 31 V 1 A 1.452GHz ~ 1.511GHz 18.8dB OM-1230-4L2S
RF Mosfet 31 V 1 A 1.452GHz ~ 1.511GHz 18.8dB OM-1230-4L2S
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The A2T14H450-23NR6 is a 93 W asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor designed for cellular base station applications. It operates within the frequency range of 1427 to 1517 MHz, with a typical output power of 93 W at VDD = 31 Vdc and IDQA = 1000 mA. This N-channel enhancement-mode LDMOS transistor features advanced performance for digital predistortion systems.
The A2T14H450-23NR6 is a 93 W asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor designed for cellular base station applications. It operates within the frequency range of 1427 to 1517 MHz, with a typical output power of 93 W at VDD = 31 Vdc and IDQA = 1000 mA. This N-channel enhancement-mode LDMOS transistor features advanced performance for digital predistortion systems.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Martin eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Martin Elfstrand
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.