74AHCT30PW,118
Tillverkare
NXP
Datablad
Datablad
Specifikation
Specifikation
IC GATE NAND
IC GATE NAND
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
IC Channel. Komponentens mått är 10 mm (0,39 tum) i längd, 5 mm (0,20 tum) i bredd och 2 mm (0,08 tum) i höjd. Denna komponent har en RDS(on) på 0,5 ohm, ett tjockfilmsmotstånd och kan tål en effekt av 1 watt. Den är designad med en trumformad kärna och är trådlindad för optimal prestanda. Monteringen är ytmonterad.
IC Channel. Komponentens mått är 10 mm (0,39 tum) i längd, 5 mm (0,20 tum) i bredd och 2 mm (0,08 tum) i höjd. Denna komponent har en RDS(on) på 0,5 ohm, ett tjockfilmsmotstånd och kan tål en effekt av 1 watt. Den är designad med en trumformad kärna och är trådlindad för optimal prestanda. Monteringen är ytmonterad.
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The 74AHCT30PW is a high-speed 8-input NAND gate CMOS IC from NXP Semiconductors, designed for compatibility with Low-power Schottky TTL. It features balanced propagation delays, Schmitt-trigger inputs, and operates within a temperature range of -40 °C to +125 °C. The device supports input voltages higher than VCC and is ESD protected, making it suitable for various applications.
The 74AHCT30PW is a high-speed 8-input NAND gate CMOS IC from NXP Semiconductors, designed for compatibility with Low-power Schottky TTL. It features balanced propagation delays, Schmitt-trigger inputs, and operates within a temperature range of -40 °C to +125 °C. The device supports input voltages higher than VCC and is ESD protected, making it suitable for various applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Bengt eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.K