logo

70T651S10BFGI

Tillverkare

RENESAS

data-sheet
Datablad
Datablad
70T651S10BFGI är utformad för hög hastighet vid databehandling inom industriella tillämpningar, inklusive telekommunikation och inbyggda system. Dess dual-port-arkitektur möjliggör effektiv minnesåtkomst i flerprocessor-miljöer, vilket gör den idealisk för tillämpningar som kräver snabb datatransfer och låg latens.
Specifikation
Specifikation
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
SRAM - Dubbelport, Asynkron Minne IC 9Mbit Parallell 10 ns 208-CABGA (15x15 mm) (0.59x0.59 in)
SRAM - Dubbelport, Asynkron Minne IC 9Mbit Parallell 10 ns 208-CABGA (15x15 mm) (0.59x0.59 in)
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The Renesas Electronics 70T651S10BFGI is a high-speed 9Mbit Dual-Port Static RAM, featuring asynchronous operation with a 10 ns access time. It supports independent read/write operations on both ports, allowing simultaneous access to the same memory location. The device operates on a single 2.5V power supply and is available in a 208-ball fine pitch Ball Grid Array (BGA) package, suitable for industrial applications.
The Renesas Electronics 70T651S10BFGI is a high-speed 9Mbit Dual-Port Static RAM, featuring asynchronous operation with a 10 ns access time. It supports independent read/write operations on both ports, allowing simultaneous access to the same memory location. The device operates on a single 2.5V power supply and is available in a 208-ball fine pitch Ball Grid Array (BGA) package, suitable for industrial applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Richard eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Richard Mattsson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.