logo

70T3339S133BFI

Tillverkare

RENESAS

data-sheet
Datablad
Datablad
70T3339S133BFI är idealisk för industriella tillämpningar som kräver hög hastighet och dual-port minneskapabiliteter. Typiska tillämpningar inkluderar telekommunikation, nätverksutrustning och inbyggda system där snabb och effektiv minnesåtkomst är avgörande.
Specifikation
Specifikation
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 9Mbit Parallell 133 MHz 4.2 ns 208-CABGA (15x15 mm (0.59x0.59 in))
SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 9Mbit Parallell 133 MHz 4.2 ns 208-CABGA (15x15 mm (0.59x0.59 in))
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The Renesas Electronics 70T3339S133BFI is a high-speed 9Mbit dual-port synchronous static RAM (SRAM) with a 133 MHz clock frequency and 4.2 ns access time. It features a 208-pin fine pitch Ball Grid Array (fpBGA) package, operates at a core voltage of 2.5V, and supports both 3.3V and 2.5V I/O levels. The device is designed for simultaneous access from both ports, making it suitable for high-performance applications.
The Renesas Electronics 70T3339S133BFI is a high-speed 9Mbit dual-port synchronous static RAM (SRAM) with a 133 MHz clock frequency and 4.2 ns access time. It features a 208-pin fine pitch Ball Grid Array (fpBGA) package, operates at a core voltage of 2.5V, and supports both 3.3V and 2.5V I/O levels. The device is designed for simultaneous access from both ports, making it suitable for high-performance applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Patrick eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Patrick Wiström
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.