logo

6116LA120DB

Tillverkare

RENESAS

data-sheet
Datablad
Datablad
6116LA120DB är lämplig för militära, kommersiella och industriella tillämpningar, särskilt i miljöer som kräver hög hastighet och låg effekt för statisk minnesanvändning. Dess funktioner inkluderar batteribackup, vilket gör den idealisk för system där datalagring under strömavbrott är avgörande. Enheten fungerar inom ett industriellt temperaturområde på -40°C till +85°C, vilket säkerställer tillförlitlighet i krävande förhållanden.
Specifikation
Specifikation
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24CDIP
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24CDIP
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
SRAM - Asynkron minnes-IC 16Kbit parallell 120 ns 24-CDIP
SRAM - Asynkron minnes-IC 16Kbit parallell 120 ns 24-CDIP
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The Renesas Electronics 6116LA120DB is a 16Kbit asynchronous SRAM organized as 2K x 8, featuring access times of 120 ns. It operates with a supply voltage of 5.0V ± 10% and supports low-power consumption with battery backup capability at 2V for data retention. The device is TTL-compatible and requires no refresh cycles, making it ideal for static applications.
The Renesas Electronics 6116LA120DB is a 16Kbit asynchronous SRAM organized as 2K x 8, featuring access times of 120 ns. It operates with a supply voltage of 5.0V ± 10% and supports low-power consumption with battery backup capability at 2V for data retention. The device is TTL-compatible and requires no refresh cycles, making it ideal for static applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Gustaf eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Gustaf Eriksson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.