logo

55GN01CA-TB-E

Tillverkare

ON SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
55GN01CA-TB-E är ett RF-transistor som är lämplig för telekommunikation och industriella tillämpningar. Dess höga avskärmningsfrekvens och förstärkning gör den idealisk för RF-förstärkning i kommunikationsenheter, signalbehandling och andra högfrekventa kretsar.
Specifikation
Specifikation
RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3CP
RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3CP
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
RF Transistor NPN 10V 70mA 4.5GHz 200mW ytmonterad 3-CP
RF Transistor NPN 10V 70mA 4.5GHz 200mW ytmonterad 3-CP
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The 55GN01CA-TB-E is an NPN RF transistor designed for high-frequency applications, featuring a maximum collector-to-emitter voltage of 10V and a collector current of 70mA. It operates at a cutoff frequency of 5.5GHz and provides a typical gain of 9.5dB at 1GHz. This surface-mounted device is suitable for various RF applications.
The 55GN01CA-TB-E is an NPN RF transistor designed for high-frequency applications, featuring a maximum collector-to-emitter voltage of 10V and a collector current of 70mA. It operates at a cutoff frequency of 5.5GHz and provides a typical gain of 9.5dB at 1GHz. This surface-mounted device is suitable for various RF applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Gabriella eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Gabriella Carlberg
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.