logo

4N35-500E

Tillverkare

BROADCOM

data-sheet
Datablad
Datablad
4N35-500E är avsedd för allmänna tillämpningar, inklusive I/O-gränssnitt för datorer, systemapparater, mätinstrument och signalöverföring mellan kretsar med olika potentialer och impedanser.
Specifikation
Specifikation
OPTOISO 3.55KV TRANS W/BASE 6SMD
OPTOISO 3.55KV TRANS W/BASE 6SMD
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Optoisolator Transistor med Basutgång 3550Vrms 1 Kanal 6-SMD
Optoisolator Transistor med Basutgång 3550Vrms 1 Kanal 6-SMD
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The 4N35-500E is a high-performance optoisolator featuring a light-emitting diode optically coupled to a phototransistor. It offers an isolation voltage of 3550 Vrms and a minimum current transfer ratio (CTR) of 100% at an input current of 10 mA. The response time is typically 3 µs, making it suitable for various applications.
The 4N35-500E is a high-performance optoisolator featuring a light-emitting diode optically coupled to a phototransistor. It offers an isolation voltage of 3550 Vrms and a minimum current transfer ratio (CTR) of 100% at an input current of 10 mA. The response time is typically 3 µs, making it suitable for various applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Marcus eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Marcus Gustafsson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.