logo

4N26SR2M

Tillverkare

ON SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
4N26SR2M är lämplig för industriella tillämpningar, särskilt inom strömförsörjningsregulatorer, digitala logikingångar och mikroprocessoringångar. Dess höga isolationsspänning och robusta prestanda gör den idealisk för användning i miljöer där elektrisk isolering är avgörande.
Specifikation
Specifikation
OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD
OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Optoisolator Transistor med Basutgång 4170Vrms 1 Kanal 6-SMD
Optoisolator Transistor med Basutgång 4170Vrms 1 Kanal 6-SMD
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The 4N26SR2M from onsemi is a high-performance optoisolator featuring a gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon phototransistor. It offers an isolation voltage of 4170 Vrms and is housed in a 6-pin surface-mounted package. This device is designed for applications requiring electrical isolation and signal transmission.
The 4N26SR2M from onsemi is a high-performance optoisolator featuring a gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon phototransistor. It offers an isolation voltage of 4170 Vrms and is housed in a 6-pin surface-mounted package. This device is designed for applications requiring electrical isolation and signal transmission.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Patrick eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Patrick Wiström
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.