logo

2SK209-Y(TE85L,F)

Tillverkare

TOSHIBA

data-sheet
Datablad
Datablad
2SK209-Y(TE85L,F) är lämplig för applikationer inom ljudfrekvens lågt brusförstärkare, särskilt inom konsumentelektronik och telekommunikation. Dess höga ingångsimpedans och låga bruskarakteristik gör den idealisk för användning i känsliga ljudkretsar, vilket säkerställer hög ljudkvalitet och minimal signaldegradering.
Specifikation
Specifikation
JFET N-CH 50V 14MA SC59
JFET N-CH 50V 14MA SC59
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
JFET N-kanal 50 V 14 mA 150 mW ytmonterad SC-59
JFET N-kanal 50 V 14 mA 150 mW ytmonterad SC-59
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The 2SK209-Y(TE85L,F) is a Silicon N-Channel Junction Type JFET designed for audio frequency low noise amplifier applications. It features a high forward transfer admittance of |Yfs| = 15 mS (typ.) at VDS = 10 V, VGS = 0, a low noise figure of NF = 1.0 dB (typ.) at VDS = 10 V, ID = 0.5 mA, and a maximum gate-drain voltage of VGDS = -50 V. The device is housed in a compact SC-59 package, with a maximum drain current of 14 mA and a power dissipation of 150 mW.
The 2SK209-Y(TE85L,F) is a Silicon N-Channel Junction Type JFET designed for audio frequency low noise amplifier applications. It features a high forward transfer admittance of |Yfs| = 15 mS (typ.) at VDS = 10 V, VGS = 0, a low noise figure of NF = 1.0 dB (typ.) at VDS = 10 V, ID = 0.5 mA, and a maximum gate-drain voltage of VGDS = -50 V. The device is housed in a compact SC-59 package, with a maximum drain current of 14 mA and a power dissipation of 150 mW.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Marcus eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Marcus Gustafsson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.