logo

2SK209-GR(TE85L,F)

Tillverkare

TOSHIBA

data-sheet
Datablad
Datablad
2SK209-GR(TE85L,F) används främst i tjockfilmsmotstånd för lågfrekventa ljudförstärkarapplikationer. Dess höga framåtriktade överföringsledningsförmåga på 15 mS och låga ingångskapacitans på 13 pF gör den idealisk för högpresterande ljudkretsar. Enhetens kompakta storlek och låga bruskarakteristik är särskilt fördelaktiga inom konsumentelektronik och telekommunikation.
Specifikation
Specifikation
JFET N-CH 50V 14MA SC59
JFET N-CH 50V 14MA SC59
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
JFET N-kanal 50 V 14 mA 150 mW ytmonterad SC-59
JFET N-kanal 50 V 14 mA 150 mW ytmonterad SC-59
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The 2SK209-GR(TE85L,F) is a Silicon N-Channel Junction Field Effect Transistor (JFET) designed for audio frequency low noise amplifier applications. It features a maximum gate-drain voltage of -50 V, a drain current of 14 mA, and a low noise figure of 1.0 dB at 1 kHz. The device is housed in a compact SC-59 surface mount package, making it suitable for space-constrained applications.
The 2SK209-GR(TE85L,F) is a Silicon N-Channel Junction Field Effect Transistor (JFET) designed for audio frequency low noise amplifier applications. It features a maximum gate-drain voltage of -50 V, a drain current of 14 mA, and a low noise figure of 1.0 dB at 1 kHz. The device is housed in a compact SC-59 surface mount package, making it suitable for space-constrained applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Lukas eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Lukas Wallin
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.