2SD315AI
Tillverkare
POWER INTEGRATIONS
Datablad
Datablad
Specifikation
Specifikation
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Halvbro Gate Driver IC Modul med dimensioner på 50 mm (1,97 tum) i längd, 30 mm (1,18 tum) i bredd och 10 mm (0,39 tum) i höjd. Den har RDS(on) teknik, ett tjockfilmsmotstånd, och är designad för att tål en effekt på upp till 10 watt. Modulen inkluderar en trumformad kärna och är trådlindad för förbättrad prestanda. Detta är en ytmonterad komponent.
Halvbro Gate Driver IC Modul med dimensioner på 50 mm (1,97 tum) i längd, 30 mm (1,18 tum) i bredd och 10 mm (0,39 tum) i höjd. Den har RDS(on) teknik, ett tjockfilmsmotstånd, och är designad för att tål en effekt på upp till 10 watt. Modulen inkluderar en trumformad kärna och är trådlindad för förbättrad prestanda. Detta är en ytmonterad komponent.
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The 2SD315AI is a dual half-bridge gate driver IC module designed for reliable operation of IGBTs and power MOSFETs. It features a high gate current of ±15A, electrical isolation of 4000VAC, and supports switching frequencies from DC to over 100kHz. With built-in short circuit and overcurrent protection, it ensures safe operation in demanding applications.
The 2SD315AI is a dual half-bridge gate driver IC module designed for reliable operation of IGBTs and power MOSFETs. It features a high gate current of ±15A, electrical isolation of 4000VAC, and supports switching frequencies from DC to over 100kHz. With built-in short circuit and overcurrent protection, it ensures safe operation in demanding applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Jan-Erik eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.K