logo

2N7002KT1G

Tillverkare

ON SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
2N7002KT1G är avsedd för användning i låg sidlastswitching, nivåskiftkretsar och DC-DC-omvandlare, vilket gör den lämplig för tillämpningar inom konsumentelektronik, fordonsindustri och bärbara enheter. Dess kompakta SOT-23-3-kapsel möjliggör effektiv utnyttjande av utrymme i moderna elektroniska konstruktioner.
Specifikation
Specifikation
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
N-Kanal 60 V 320mA (Ta) 300mW (Ta) ytmonterad SOT-23-3 (TO-236)
N-Kanal 60 V 320mA (Ta) 300mW (Ta) ytmonterad SOT-23-3 (TO-236)
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The 2N7002KT1G is an N-Channel MOSFET with a maximum Drain-Source Voltage of 60V and a continuous Drain Current of 320mA. It features low RDS(on) values, making it suitable for efficient switching applications. Packaged in a SOT-23-3 surface mount configuration, it is ideal for low side load switching, level shifting, and DC-DC converters in portable devices.
The 2N7002KT1G is an N-Channel MOSFET with a maximum Drain-Source Voltage of 60V and a continuous Drain Current of 320mA. It features low RDS(on) values, making it suitable for efficient switching applications. Packaged in a SOT-23-3 surface mount configuration, it is ideal for low side load switching, level shifting, and DC-DC converters in portable devices.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Gabriella eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Gabriella Carlberg
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.